一、氧化镓纳米带的制备研究（论文文献综述）
石超[1]（2021）在《Ⅲ-Ⅳ主族金属氧化物纳米纤维、纳米带的制备与掺杂及其高气敏性能研究》文中研究说明金属氧化物纳米材料拥有优秀的气敏性能,可作为气敏材料用于气敏传感器中。本文主要对Ⅲ、Ⅳ主族In、Sn、Ga等金属元素的氧化物进行研究。分别利用多种制备工艺,制备不同形貌的氧化铟、氧化锡和氧化镓纳米材料,并研究它们的气敏性能。同时,通过纤维有序排列、掺杂和表面改性等,改变产物的物理结构和表面形态,进一步改善产物的气敏性能,取得显着效果。全文研究得到以下研究结果:（1）利用静电纺丝法结合热处理,探索了一种制备空心氧化铟纤维的工艺,发现在热处理过程中,采用较快的升温速率可在高温下获得空心纤维结构,随后再采用较慢的降温速率实现对空心结构的保留。（2）利用静电纺丝法结合框架收集器,制备出有序氧化铟纳米空心纤维。发现该有序纤维在最佳工作温度下对100ppm浓度乙醇的灵敏度可达到29.4,与烧结法制备的无规则氧化铟纳米颗粒相比,对乙醇的气敏性能提升一倍以上。利用La元素对氧化铟空心纤维进行掺杂并进行有序排列,发现当In与La元素的原子比为100:7时,相应样品的性能提升最为明显,对100ppm浓度的乙醇灵敏度可达到32.8,灵敏度得到进一步改善。（3）利用静电纺丝法结合双环收集器,制备La掺杂的有序Sn O2纳米空心纤维,其在最佳工作温度下,对100ppm浓度乙醇的灵敏度达到241,与无序Sn O2空心纤维相比,对乙醇的灵敏度平均也提升了20%-40%。此外,通过物理建模,分析了影响纺丝长度的主要因素,并提出长度表示式。（4）分别用静电纺丝法和烧结法制备了氧化镓纳米材料,发现通过静电纺丝方法可以获得氧化镓纳米带,该材料质地坚硬,对氨气的气敏性能较差,且工作温度高,难以实施表面改性;但利用烧结法制备的氧化镓纳米颗粒,经过表面改性后,在室温下就能获得良好的气敏性能。当氧化镓颗粒（Ga2O3）与苯胺单体（C6H7N）摩尔比为100:20时,样品对100ppm浓度氨气的灵敏度可达到15.4,相比于改性前的颗粒,气敏性能提升了7倍。
乔宝石[2]（2021）在《氧化镓基光电器件的制备及内部机制研究》文中提出由于臭氧层的吸收,200 nm-280 nm的太阳光无法到达地面,在距离地面十几千米高度以内的空间形成了一个盲区。针对这个波段的紫外光电探测,无需担心来自太阳光的干扰,在局域保密通信、火灾预警、高压线检修等方面已经展现出重要的应用价值。在众多日盲紫外探测材料中,氧化镓具有本征日盲,稳定性好,击穿电压大等优点从而受到人们的关注。但对氧化镓光电探测器内部增益机制以及诸多奇妙的光电特性研究还不够深入。本文通过MOCVD方法,结合热处理、等离子体处理等手段,制备了氧化镓超高性能光电探测器,氧化镓基光控忆阻器等多功能的光电器件,对其内部增益及相关光电过程进行了一系列研究,主要内容和结果如下:1.通过MOCVD在c面蓝宝石上外延氧化镓薄膜材料,通过热退火过程调控材料的光学和电学性能,在此基础上制备了具有抑制比(R254nm/R365nm)高达107、响应度达46 A/W、响应速度达到26.7μs的光电探测器。将氧化镓紫外探测器件的高灵敏度归结为在光照下电极遮挡的高阻区域发生了碰撞离化增益所导致。本工作为高抑制比光电探测器件研发提供了新途径。2.通过MOCVD在预制非晶氧化铝成核层的（111）面低阻p-硅上生长了多晶氧化镓薄膜,并制备了紫外探测器。通过500μs的0 V脉冲擦除持续光电流,实现了探测器响应速度的调控。光电特性研究表明,器件内部增益机制和光电流猝灭来自于氧空位构成的导电细丝的形成和崩灭。该机制为高增益、高速光电器件研究提供了新方向,并在易失性光电存储展现出一定潜力。3.采用MOCVD方法在蓝宝石上生长了氧化镓薄膜,通过退火和射频氮等离子体选区调控氧化镓材料导电性,原生氧化镓材料在射频等离子体处理后电导率提高了6个数量级以上,并且通过低温退火的方式可以使得氧化镓材料返回高阻状态。光谱研究表明,在射频等离子体作用下,氧化镓材料内部氧空位被激活从而提高了导电性。基于该工作制备了氧化镓同质结光电探测器。实现了具有光写入、电擦除的非易失性日盲光电存储功能。
庄文昌,张洁,李钦堂,朱文友,贾志泰[3]（2020）在《氧化镓纳米材料的制备及其在光电探测方面的应用研究进展》文中指出近年来,半导体的纳米材料凭借其奇特的介观物理特性,成为当前研究的热点,特别是纳米金属氧化物。氧化镓纳米材料具备优异的光电、气敏、耐压且低损耗等特性,为材料学、电子学和化学等多个研究领域带来了新的机遇。本文概述了氧化镓纳米结构的制备方法,并展望了其在光电探测方面的应用。
肖骁[4]（2020）在《基于氧化镓的超宽禁带半导体纳米形貌控制与表征》文中提出纳米材料由于其量子尺寸效应等特性,具有独特的电学、光学和磁学性能,优于传统光电材料,是制作光电器件和高性能电子器件的重要材料之一,在许多领域都有优秀的应用前景。目前有大量纳米材料应用案例,如基于纳米线的场效应晶体管,气体传感器,日盲光电探测器等通过使用纳米材料技术提升了器件性能。在众多材料科学研究的课题之中,纳米材料生长工艺和表征手段的研究备受关注。近年来,许多研究团队使用不同的制备工艺技术成功地制备了各种不同形貌的纳米材料。Ga2O3是一种具有超宽禁带的半导体氧化物,现阶段研究认为其带隙的范围在4.9e V～5.2e V之间,具有十分优秀的物理、化学稳定性,在对功率、电压以及电流密度都有较高要求的光电器件中具有良好的应用前景。同时基于氧化镓的合金化合物也是当今研究的热点,通过调节合金化合物中其他元素的不同浓度可以提高纳米材料的性能。（Ga In）2O3就是一种基于氧化镓的合金化合物,同时具备了透明氧化物的特性,属于近年来备受关注的新型多元体系材料。禁带宽度可通过调整元素比例而介于In2O3与Ga2O3之间（3.7e V～4.9e V）,在低载流子浓度环境下呈现出良好的导电性能,而在可见光波段范围内,（Ga In）2O3对光吸收率相对较低。本课题使用化学气相沉积法,使用纯金属镓和氧气氩气按比例混合的气体作为反应源,未使用催化剂,在硅衬底上成功制备出一系列β-Ga2O3纳米材料,通过分析样品测试结果,不断调整制备过程中的工艺参数,进行对照实验。同时使用了金属镓、金属铟和氧气、氩气的混合气体作为反应源在衬底上制备了（Ga In）2O3合金纳米结构。制备结束后使用扫描电镜（SEM）,能谱仪（EDS）,X射线衍射仪（XRD）和荧光分光光度计（PL）对实验制备所得的样品进行了表征分析。实验通过改变工艺参数制备了β-Ga2O3纳米材料样品。通过分析比对不同生长温度,时间以及载气的氧含量样品的测试结果,我们优化了实验方案,分析出β-Ga2O3基本遵循了气固生长机制。光致发光特性测试中发现β-Ga2O3纳米材料具有较宽的发射光谱带,峰位在392nm。此外对实验所得的（Ga In）2O3合金结构样品进行了相关测试,结果表明随着温度的升高,样品结果出现了由纳米柱向纳米球形态以及单斜晶系向立方晶系转化的现象。光致发光（PL）光谱展示了在波长400nm到450nm范围内出现了较宽的发射带,证实了样品同时具有立方系和单斜系晶体结构的特性。
祁祺,陈海峰,洪梓凡,刘英英,过立新,李立珺,陆芹,贾一凡[5]（2020）在《无催化剂条件下长达毫米级的超宽Ga2O3单晶纳米带制备及特性》文中提出氧化镓（Ga2O3）单晶纳米带由于具有独特的性质在电子器件中具有潜在的应用,然而目前过小的接触面积使得基于这种纳米材料的器件制备变得非常复杂且充满挑战.本文利用碳热还原法,在无催化剂条件下使氧化镓粉末与碳纳米管在高温下反应,生长出不同结构的氧化镓纳米材料,发现了反应温度影响纳米结构的直径和比例的物理机制,并制备出了长达毫米级的超宽β-Ga2O3单晶纳米带,其横向尺寸可达44.3μm.利用透射电子显微镜（TEM）可以观察到纳米带呈单晶结构,进一步拉曼散射光谱（Raman）表明这种方法生长的β-Ga2O3纳米带的应变较小,缺陷密度较低,且室温光致发光谱（PL）显示该氧化镓纳米带在激发波长295 nm下发出425 nm的稳定且高亮度的蓝光.这种生长方法可为未来器件级氧化镓纳米带制备提供有益的参考.
王霞[6]（2020）在《自支撑氧化镓薄膜的生长与器件应用研究》文中研究表明Ga2O3,一种超宽带隙（Eg～4.9 eV）透明氧化物半导体材料,具有高击穿场强、耐高温、抗辐射性强、化学稳定性好等特性,在微纳光电子领域有很好的应用前景。Ga2O3可用来制备光电探测器、紫外滤光片、场效应晶体管、光电倍增管、信息存储器、气敏传感器、可见光LED、紫外LED、太阳能电池、荧光发光器等器件;可用于净化水源、分解污染物、制备环保能源H2等光催化领域;同时在透明导电电极、光学窗口、紫外通信等多方面有重要的应用潜力。随着可穿戴电子产品、柔性器件、软机器人等的快速发展,大面积、轻柔、易携带、便捷式传感器的需求在不断增加,Ga2O3薄膜在柔性衬底上的集成是制造Ga2O3基柔性电子器件的有效途径。目前主要有2种方式制备Ga2O3薄膜基柔性器件:直接在有机柔性衬底上沉积Ga2O3薄膜和机械剥离法获得Ga2O3薄膜。由于直接在柔性衬底上沉积的薄膜是非晶态;机械剥离法获得的Ga2O3薄膜厚度、面积难以控制,薄膜易碎、易损坏。本文在先分别研究、优化Ga2O3薄膜和Sr3Al2O6薄膜沉积条件的前提下,利用优化后的Ga2O3薄膜和Sr3Al2O6薄膜沉积参数在Si衬底上先后沉积水溶牺牲Sr3Al2O6薄膜和Ga2O3薄膜,用去离子水刻蚀Sr3Al2O6薄膜层获得了具有多晶结构、大面积、边缘完整、厚度可控的自支撑Ga2O3薄膜。通过该种方法制备的自支撑Ga2O3薄膜不受衬底制约,可裁剪、转移在柔性衬底上制备柔性器件、转移在其他衬底或者薄膜（像晶格失配比较大的薄膜等）上用于制备元器件及进一步的集成应用。这里通过转移自支撑Ga2O3薄膜在柔性PET衬底和FET上,分别研究了自支撑Ga2O3薄膜在柔性Ga2O3日盲光电探测器和FTO/Ga2O3异质结光电器件的制备及光电性能,表明通过该方式制备的自支撑Ga2O3薄膜在柔性器件、光电子器件的制备、集成方面有一定的应用价值。取得的主要研究成果如下:首先,Ga2O3薄膜的制备及性能优化。在研究沉积温度对制备Ga2O3薄膜结晶质量的影响、优化薄膜沉积温度前提下,通过调控薄膜沉积时间制备不同膜厚Ga2O3薄膜,从薄膜厚度方面优化Ga2O3薄膜的光电性能。此外,由于Ga2O3的导热系数低,在没有好的散热机制,散热不及时会导致Ga2O3基器件性能退化,这里研究了温度（298 K-623 K）对基于氧化镓光电器件光电性能的影响。其次,研究具有较好水溶性Sr3Al2O6薄膜的制备。由于自支撑氧化镓薄膜的制备需要水溶性较好的Sr3Al2O6薄膜,这里通过磁控溅射设备制备了水溶性较好的Sr3Al2O6薄膜,并对其物性做了初步的研究,此外,在Sr3Al2O6薄膜上沉积Ga2O3薄膜,制备了 Sr3Al2O6/Ga2O3透明氧化物异质结,并对其光电整流特性进行了研究、通过XPS测试对该异质结做了能带对准。由于氧化镓不溶于水,且在可见光区高透明,而Sr3Al2O6在长余辉可见光发光方面有重要的应用,因此,从另一个角度来说,Ga2O3薄膜可以作为Sr3Al2O6薄膜的防水耐高温材料及光学窗口。然后,使用上述优化的Ga2O3薄膜及Sr3Al2O6薄膜沉积参数,高温（750℃）下在Si衬底上先后沉积Sr3Al2O6薄膜和Ga2O3薄膜,再通过水溶刻蚀的方法制备了具有面积大、厚度可控、边缘完整等特点的自支撑Ga2O3薄膜。该薄膜可用于制备柔性Ga2O3日盲探测器。最后,对自支撑Ga2O3薄膜的应用做了进一步研究。将自支撑Ga2O3薄膜转移在透明导电玻璃FTO基底上,制备了具有一定整流特性的FTO/Ga2O3异质结光电器件,并通过XPS测试与UV-Vis测试相结合方式对Ga2O3与FTO接触界面处的价带和导带进行了能带对准。
王江[7]（2020）在《高透明β-Ga2O3薄膜的制备及其日盲紫外探测器的研究》文中研究指明日盲紫外探测技术由于背景噪声低和灵敏度高等优点,被广泛应用于火焰检测、高压电晕、生物/化学分析、臭氧层监测、导弹制导及空间安全通信等民用和军事领域。近年来,随着半导体材料与技术的飞跃发展,超宽禁带半导体材料（Al Ga N,Zn Mg O,Ga2O3和金刚石）用于研制高性能日盲紫外探测器已成为光电探测领域的研究热点。其中,β-Ga2O3是一种直接带隙的新型超宽禁带半导体材料,因其禁带宽度宽（～4.9 e V）以及优异的物理化学特性而受到国内外研究们的广泛关注,是研制日盲紫外探测器的理想候选材料。然而,目前β-Ga2O3基日盲探测器主要存在响应度低和响应速度慢等问题,特别是高响应度和快速响应时间难以兼得,使器件在民用和军事领域商业化应用受到限制。本文针对以上问题开展研究,以制备高性能β-Ga2O3基日盲紫外探测器为研究目标,主要研究内容和结果如下:（1）高透明β-Ga2O3薄膜的制备及日盲紫外探测器的初步研究。采用射频磁控溅射和退火技术在c面蓝宝石衬底上制备出β-Ga2O3薄膜,系统研究了溅射功率对β-Ga2O3薄膜的结构、光学及元素组分的影响。结果表明:所有β-Ga2O3薄膜均呈现（-201）方向择优生长,且随溅射功率的增加,薄膜的生长速率呈线性增加,晶体质量逐渐变优。同时,所有薄膜在近紫外-可见光区的平均透过率均超过95%,展现出优异的光学特性。此外,随着溅射功率降低,由于衬底中Al扩散的原因,导致β-Ga2O3薄膜的禁带宽度变宽。基于结构和光学性能较优的β-Ga2O3薄膜,初步制备了金属-半导体-金属（MSM）结构的日盲紫外探测器,该器件具有优异的日盲紫外探测性能,包括较高的光暗比（>103）,以及较快的响应时间（0.31/0.05 s）。（2）基于氧空位缺陷调控的高性能β-Ga2O3基日盲紫外探测器的研究。采用射频磁控溅射技术在c面蓝宝石衬底上制备了非晶态Ga2O3薄膜,通过后期退火处理制备出β-Ga2O3薄膜。系统研究了退火温度对Ga2O3薄膜的结构、光学及化学组分的影响。结果表明:非晶态和β相Ga2O3薄膜在近紫外-可见光区均展现出超高的透过率（>95%）。随着退火温度的增加,β-Ga2O3薄膜的结晶质量逐渐变优,禁带宽度逐渐增加。此外,后期退火能有效调控薄膜中的氧空位浓度,且随着退火温度增加,氧空位浓度逐渐变小。在此基础之上,对不同温度下退火的Ga2O3薄膜制备了MSM结构的日盲紫外探测器。发现采用非晶Ga2O3薄膜制备的探测器具有较高的响应度,但响应时间较慢;相反,高温退火后的β-Ga2O3薄膜基探测器具有较快的响应时间,但响应度较低。相比之下,相对较低温度退火的β-Ga2O3薄膜基探测器的各项性能指标较为均衡。研究发现Ga2O3薄膜中氧空位浓度决定探测器的性能,对氧空位缺陷的有效调控,是研制各项性能指标均衡的日盲探测器的有效手段。
李靖[8]（2019）在《宽禁带半导体掺杂及合金体系物性研究》文中进行了进一步梳理氧化镓（Ga203）、氧化锌（ZnO）、碲化锌（ZnTe）等半导体具有禁带宽度大、击穿场强高、抗辐照性能好等优点,成为短波长光电器件、高功率电子器件和新型太阳能电池的重要优选材料。然而,宽禁带半导体普遍存在难以同时实现n型和p型的掺杂不对称性问题,同时合金体系的电子能带结构和基本物理特性仍缺乏系统的认识,严重限制了器件应用的范畴。研究Ga203合金体系的光电特性将有助拓展其对深空紫外探测和功率电子器件中的应用,而通过等电子氧掺杂ZnTeO合金则有助于开发高效中间带光伏电池,具有重要的科学意义和应用价值。本文针对Ga203和ZnTe宽禁带半导体材料领域的关键问题,通过离子注入、原位掺杂和合金等方法制备出高质量（AlxGa1-x）2O3、ZnTeO合金及Cr:Ga2O3掺杂体系,揭示了掺杂和合金对材料结构特征、能带调控和光电特性的影响规律,为后续实现高功率电子器件、真空紫外探测和高效中间带光伏电池研究提供物理依据和材料基础。具体研究结果包括:1、利用激光分子束外延技术（Laser MBE）在c面蓝宝石上外延出（-201）取向高度一致的β-（AlxGa1-x）2O3（0≤x≤0.54）薄膜,通过调控A1组分实现带隙在4.5到5.5 eV之间可调,且晶格常数和原胞体积随组分变化关系满足Vegard定律。基于第一性原理理论计算和实验相结合揭示了 β-（AlxGa1-x）203合金间接带隙的电子能带结构。研究结果显示,β-（AlxGa1-x）203合金具有典型的间接带隙特征,价带顶位于M点,其与价带Γ点能量差随着A1组分增加而增加。综合阴极荧光和XPS分析,β-（AlxGa1-X）2O3合金薄膜表面能带上翘,主要是由表面费米能级的钉扎效应所导致,从而造成表面耗尽与薄膜高阻现象。研究结果表明通过能带调控可有效将响应波长拓展至真空紫外,并为实现高功率MOSFET器件提供基础。2、在c面蓝宝石上原位掺杂制备Cr3+:Ga2O3高质量单晶薄膜,深入研究了Cr在不同物相Ga2O3中独特的发光特性。研究表明,α相Cr3+:Ga2O3单晶在室温下可观察到线宽小于1.5nm、波长为697nm的尖锐的R线零声子线,而在ε相和β相Cr3+:Ga2O3中相关精细发光谱线消失。同时Cr3+:Ga2O3中R线零声子线具有较好的偏振特性,且发光强度随激发功率呈现I ∞ P0.85的亚线性增长,证实其缺陷跃迁发光的内在机理。基于晶体场理论,综合第一性原理计算,Cr3+:Ga2O3中R线零声子线是八面体晶体场中Cr3+激活离子2E激发态至4A2基态辐射跃迁所导致,且通过时间分辨PL测试室温下电子在2E能级的的荧光寿命为2.0 ns。这种类原子发光特性表明Cr3+:Ga2O3不仅有望成为新型激光晶体,而且为量子计算和量子通信所需的室温单光子发射器件提供可能。3、将多步离子注入和脉冲激光熔融退火技术相结合,实现了具有光学活性中间带能级和有效带间光响应的ZnTeO高失配合金。研究显示,脉冲激光局域高温退火导致ZnTeO快速熔融再结晶,类似于液相外延过程,有效恢复离子注入导致的晶格损伤和防止氧的扩散,但一定程度上导致Te的偏析。综合吸收谱和光致发光谱分析表明,激光退火有助于抑制锌空位等本征缺陷的带内发光,同时O的等电子掺杂将在导带底0.45 eV处引入中间能带,并由局域态部分转变为扩展态。通过时间分辨PL研究其载流子动力学,表明中间带电子态中光生电子寿命达到约1 ns。光电流响应结果显示中间带吸收得到显着增强,说明载流子在中间能级被快速分离进而再激发至导带,从而提高ZnTe对低能光子的吸收能力和整体的光电转换效率,为高效中间带光伏电池的研制提供依据。4、针对ZnTe纳米结构缺陷密度高的问题,通过优化金催化物理气相沉积条件,制备出缺陷密度低、发光特性好的ZnTe准二维纳米带结构,并深入研究ZnTe纳米线和纳米带的生长机制。研究结果表明,ZnTe纳米线主要沿[111]方向生长,具有较高密度的堆垛位错结构,甚至形成孪晶超晶格,而纳米带上下表面为{111}面而侧壁为{110}面,且面缺陷密度较低。综合第一性原理计算结果表明,ZnTe的{110}面生长具有较低的形成能,ZnTe纳米线主要在金催化作用下由气-液-固（VLS）生长模式获得,而纳米片则是在沿[121]方向生长的纳米线的{110}面上通过气-固生长机制不断沉积ZnTe所获得。高质量准二维ZnTe纳米片可为实现新型半导体微纳光电器件的研制提供一种可能的材料体系。
郭道友,李培刚,陈政委,吴真平,唐为华[9]（2019）在《超宽禁带半导体β-Ga2O3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展》文中研究表明β-Ga2O3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是天然的日盲紫外探测及深紫外透明电极材料.本文介绍了Ga203材料的晶体结构、基本物性与器件应用,并综述了β-Ga2O3在深紫外透明导电电极和日盲紫外探测器中的最新研究进展.Sn掺杂的Ga2O3薄膜电导率可达到32.3 S/cm,透过率大于88%,但离商业化的透明导电电极还存在较大差距.在日盲紫外探测器应用方面,基于异质结结构的器件展现出更高的光响应度和更快的响应速度,ZnO/Ga2O3核/壳微米线的探测器综合性能最佳,在-6 V偏压下其对254 nm深紫外光的光响应度达1.3×103A/W,响应时间为20μs.
王顺利[10]（2019）在《玻璃纤维织物上氧化镓纳米阵列的原位生长及其柔性日盲紫外探测器的研究》文中提出氧化镓是一种新型的宽禁带半导体材料,其禁带宽度为4.9 eV,对应波长为253 nm,是天然的日盲紫外探测材料,近年来越来越受到研究人员的关注,并成为研究热点。目前,基于高结晶度氧化镓材料的日盲探测器具有高的化学稳定性和热稳定性,但通常都是以蓝宝石和石英等刚性材料为衬底,无法弯曲,限制了器件的应用范围。随着人们对便携化、娱乐化、健康化的可穿戴式电子设备不断追求,柔性光电子纺织品在未来具有巨大的市场前景,直接在柔性衬底上生长高结晶度的氧化镓具有重要的科学意义和实用价值。本文围绕氧化镓材料的基本物性,结合我校纺织学科的特色,开展了玻璃纤维织物上高结晶度β相Ga2O3纳米柱阵列和纳米线的原位生长及其在柔性日盲紫外探测器方面的应用基础研究,取得以下几个方面的成果:（1）在刚性衬底上探索了高结晶度Ga2O3纳米柱阵列的生长及其日盲探测器的制备。采用水热法在FTO衬底上原位生长GaOOH纳米柱阵列,并在400℃和700℃退火分别转变成α-Ga2O3和更加稳定的β-Ga2O3纳米柱阵列。分别制备了基于α-Ga2O3和β-Ga2O3纳米柱阵列的光电化学型日盲紫外探测器,均表现出明显的日盲紫外光电特性,β-Ga2O3纳米柱日盲探测器表现出更好的光电性能。（2）在柔性衬底玻璃纤维织物上采用水热法加后退火的方式原位生长获得了高结晶度β相Ga2O3纳米柱阵列,并制作了日盲光电探测器。采用磁控溅射法在玻璃纤维织物上先沉积一层ITO薄膜,然后通过水热法原位生长了GaOOH纳米柱阵列,并退火得到β-Ga2O3纳米柱阵列。结果表明,β-Ga2O3纳米柱沿着玻璃纤维丝圆柱体表面垂直生长,形貌均匀、整齐,呈菱形柱状,其截止吸收边为265 nm,对应的带隙为4.66 eV。制备了基于玻璃纤维织物Ag/ITO/β-Ga2O3NRAs/Ag垂直结构的日盲紫外探测器,在254 nm紫外光照下,该探测器的光电流随着光功率的增加而增加,同时随着偏压的增大而增大。当外加偏压为1.0 V、光功率密度为1.0 mW/cm2的254 nm紫外光照时,该探测器在弯曲下的光电流达到13.5 pA,与在平面状态下几乎相同,表明该探测器适合用作柔性光电器件。（3）在柔性衬底玻璃纤维织物上采用化学气相沉积法原位生长获得了高结晶度β相Ga2O3纳米线,并制作了日盲光电探测器。采用化学气相沉积法制备了β-Ga2O3纳米线和纳米草,在少氧气氛下β-Ga2O3纳米线的生长过程受VLS和VS机理共同控制,而在富氧气氛下β-Ga2O3纳米草受VS机理控制。制备了基于玻璃纤维织物/β-Ga2O3纳米线的日盲紫外探测器,该探测器在光功率密度为1500μW/cm2的254 nm紫外光照射下表现出高的光暗比（24.79）和高的光电流密度（3.39μA/cm2）、高的光响应度（0.71 A/W）、高的外量子效率（246.6%）和快的响应速度（0.37s、0.19s）。
二、氧化镓纳米带的制备研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、氧化镓纳米带的制备研究（论文提纲范文）
（1）Ⅲ-Ⅳ主族金属氧化物纳米纤维、纳米带的制备与掺杂及其高气敏性能研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 变量注释表 |
| 1 绪论 |
| 1.1 气体传感器简介 |
| 1.2 气敏材料的分类 |
| 1.3 金属氧化物材料的气敏机理 |
| 1.4 金属氧化物气敏性能改进方法 |
| 1.5 金属氧化物气敏材料的制备方法 |
| 1.6 静电纺丝法制备纳米纤维的有序收集方法 |
| 1.7 课题研究内容及意义 |
| 2 实验部分 |
| 2.1 实验试剂 |
| 2.2 实验仪器和表征设备 |
| 2.3 实验中对实验条件的控制 |
| 3 氧化铟的形貌调控及气敏性能 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 氧化铟的制备 |
| 3.3 样品的成分及形貌表征 |
| 3.4 氧化铟气敏元件的制备 |
| 3.5 样品的气敏性能 |
| 3.6 氧化铟材料对乙醇的气敏机理 |
| 3.7 本章小结 |
| 4 La掺杂氧化铟有序空心纤维的制备及其气敏性能 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 La掺杂氧化铟材料的制备 |
| 4.3 纺丝产物的煅烧 |
| 4.4 样品的成分及形貌表征 |
| 4.5 气敏元件的制备 |
| 4.6 材料的气敏性能 |
| 4.7 La掺杂In_2O_3材料的气敏机理 |
| 4.8 本章小结 |
| 5 La掺杂二氧化锡有序空心纤维的制备及其气敏性能 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 镧掺杂二氧化锡纤维的制备 |
| 5.3 纺丝长度的计算 |
| 5.4 样品的成分与形貌表征 |
| 5.5 样品气敏元件的制备 |
| 5.6 样品的乙醇气敏性能 |
| 5.7 有序化提升气敏性能原理讨论 |
| 5.8 本章小结 |
| 6 氧化镓纳米带及纳米颗粒的制备与气敏性能 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 静电纺丝氧化镓纳米带的制备、表征及气敏性能 |
| 6.3 氧化镓纳米颗粒的制备、表面改性及气敏性能 |
| 6.4 表面改性氧化镓对氨气的气敏机理分析 |
| 6.5 本章小结 |
| 7 总结 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
| 学位论文数据集 |
（2）氧化镓基光电器件的制备及内部机制研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 日盲紫外探测背景简介 |
| 1.2 氧化镓材料以及其紫外光电探测器的研究进展 |
| 1.2.1 氧化镓材料简介 |
| 1.2.2 氧化镓基光电探测器研究进展 |
| 1.3 氧化镓紫外探测器中存在的问题 |
| 1.4 论文的选题依据和研究内容 |
| 第2章 光电探测与阻变特性简介 |
| 2.1 光电探测器原理简介 |
| 2.2 光电探测器主要参数 |
| 2.2.1 响应度 |
| 2.2.2 外量子效率 |
| 2.2.3 响应速度 |
| 2.2.4 抑制比和光暗电流比 |
| 2.2.5 噪声等效功率和探测度 |
| 2.3 阻变器原理简介 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 氧化镓基光电器件的制备方法及测试技术 |
| 3.1 氧化镓材料的生长与表征 |
| 3.1.1 氧化镓材料的生长 |
| 3.1.2 氧化镓材料的表征 |
| 3.2 日盲紫外探测器的制备工艺 |
| 3.3 光电探测器的表征系统 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 MSM型高性能氧化镓基光电探测器及增益机制 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 氧化镓材料的制备与表征 |
| 4.3 MSM型光电探测器的制备与表征 |
| 4.4 光电探测器增益机制分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 速度可控的氧化镓基光电探测器及机制 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 氧化镓材料的制备与表征 |
| 5.3 光电探测器性能表征 |
| 5.4 光电探测器速度调控机制分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 氧化镓电学性能调控及日盲紫外记忆器件阵列研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 选区电学调控 |
| 6.3 同质结光电探测器初步表征 |
| 6.4 同质结光控阻变型紫外记忆器件 |
| 6.5 基于氧化镓同质结的记忆成像阵列 |
| 6.6 机制分析 |
| 6.7 本章小结 |
| 第7章 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（3）氧化镓纳米材料的制备及其在光电探测方面的应用研究进展（论文提纲范文）
| 0 引 言 |
| 1 氧化镓纳米结构的制备方法 |
| 1.1 热氧化法 |
| 1.2 化学气相沉积法 |
| 1.3 水热法 |
| 1.4 机械剥离法 |
| 1.5 模板法 |
| 2 氧化镓纳米结构在光电探测方面的应用 |
| 3 结语与展望 |
（4）基于氧化镓的超宽禁带半导体纳米形貌控制与表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| §1.1 纳米材料简介 |
| §1.1.1 纳米材料特性 |
| §1.1.2 纳米材料制备与应用 |
| §1.2 氧化镓纳米材料 |
| §1.2.1 氧化镓晶体结构 |
| §1.2.2 氧化镓纳米材料特性和应用 |
| §1.2.3 氧化镓纳米材料研究现状 |
| §1.3 本课题研究的主要内容 |
| 第二章 纳米材料制备工艺与表征方法 |
| §2.1 纳米样品制备工艺 |
| §2.2 纳米材料生长机制 |
| §2.3 纳米材料表征手段 |
| §2.3.1 扫描电子显微镜(Scanning electron microscope) |
| §2.3.2 能量色散X射线谱(Energy-dispersive X-ray spectroscopy) |
| §2.3.3 X射线衍射分析(X-ray diffractometer) |
| §2.3.4 X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy) |
| §2.3.5 光致发光光谱(Photoluminescence) |
| §2.3.6 拉曼光谱学(Raman spectroscopy) |
| 第三章 实验内容 |
| §3.1 实验流程 |
| §3.2 实验设备 |
| §3.3 实验材料 |
| §3.4 实验步骤 |
| §3.5 样品测试 |
| 第四章 Ga_2O_3纳米形貌结构以及发光性能研究 |
| §4.1 Ga_2O_3纳米材料SEM形貌分析 |
| §4.1.1 Ga_2O_3纳米材料生长机制研究 |
| §4.1.2 温度对Ga_2O_3纳米材料形貌的影响 |
| §4.1.3 生长时间对Ga_2O_3纳米材料形貌的影响 |
| §4.1.4 载气对Ga_2O_3纳米材料形貌的影响 |
| §4.2 Ga_2O_3 纳米材料结构分析 |
| §4.2.1 Ga_2O_3纳米材料EDS图谱分析 |
| §4.2.2 Ga_2O_3纳米材料XRD图谱分析 |
| §4.3 Ga_2O_3纳米材料发光性能研究 |
| §4.3.1 光致发光原理 |
| §4.3.2 纳米材料的发光模型 |
| §4.3.3 Ga_2O_3纳米材料PL图谱分析 |
| §4.4 本章小结 |
| 第五章 温度对(GaIn)_2O_3纳米形貌结构以及发光性能影响研究 |
| §5.1 (GaIn)_2O_3 纳米材料简介 |
| §5.2 (GaIn)_2O_3纳米结构的EDS分析 |
| §5.3 (GaIn)_2O_3纳米结构的SEM形貌分析 |
| §5.4 (GaIn)_2O_3纳米结构的XRD图谱分析 |
| §5.5 (GaIn)_2O_3纳米结构的PL图谱分析 |
| §5.6 温度对(GaIn)_2O_3纳米结构的影响 |
| §5.7 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| §6.1 总结 |
| §6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者在攻读硕士期间的主要研究成果 |
（6）自支撑氧化镓薄膜的生长与器件应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 超宽禁带半导体材料Ga2O_3的物性 |
| 1.2.1 Ga_2O_3同分异构体 |
| 1.2.2 Ga_2O_3半导体基本特性 |
| 1.2.3 Ga_2O_3其它物性及应用 |
| 1.3 Ga_2O_3日盲光电探测器 |
| 1.3.1 Ga_2O_3日盲探测器现状及分类 |
| 1.3.2 光电探测器性能关键参数 |
| 1.3.3 影响MSM光电探测器光电性能的结构参数 |
| 1.4 柔性Ga_2O_3日盲光电探测器 |
| 1.4.1 柔性电子器件的发展现状及趋势 |
| 1.4.2 Ga_2O_3柔性电子 |
| 1.4.3 柔性Ga_2O_3日盲探测器 |
| 1.5 结型Ga_2O_3日盲光电探测器 |
| 1.6 本论文的研究内容及结构安排 |
| 参考文献 |
| 第二章 实验方法及表征手段 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 磁控溅射设备 |
| 2.3 表征方法 |
| 2.3.1 X射线衍射 |
| 2.3.2 紫外-可见光吸收光谱 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜及X射线色散能谱 |
| 2.3.4 透射电子显微镜 |
| 2.3.5 X射线光电子能谱 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 Ga_2O_3薄膜沉积与物性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 衬底温度对制备Ga_2O_3薄的物性影响和优化 |
| 3.2.1 薄膜制备工艺 |
| 3.2.2 薄膜表征 |
| 3.2.3 器件制备 |
| 3.2.4 器件光电性能 |
| 3.3 膜厚对Ga_2O_3薄膜的物性影响及光电性能优化 |
| 3.3.1 实验流程 |
| 3.3.2 薄膜表征 |
| 3.3.3 器件制备 |
| 3.3.4 器件光电性能 |
| 3.4 温度对Ga_2O_3薄膜光电性能的影响 |
| 3.4.1 薄膜制备 |
| 3.4.2 温度对光暗电流的影响 |
| 3.4.3 温度对光暗电流比的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 Sr_3Al_2O_6薄膜沉积及性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 薄膜制备 |
| 4.3 薄膜的物性研究 |
| 4.4 Sr_3Al_2O_6/Ga_2O_3异质结 |
| 4.4.1 异质结制备 |
| 4.4.2 异质结光电特性 |
| 4.4.3 异质结能带对准 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 自支撑Ga_2O_3薄膜的制备及物性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 自支撑Ga_2O_3薄膜的制备 |
| 5.2.1 制备流程 |
| 5.2.2 物性研究 |
| 5.3 柔性Ga_2O_3日盲探测器的制备及研究 |
| 5.3.1 器件制备 |
| 5.3.2 光电性能研究 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 基于自支撑Ga_2O_3薄膜的FTO/Ga_2O_3异质结研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 异质结的制备 |
| 6.3 异质结的光电特性 |
| 6.4 异质结的能带对准 |
| 6.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间发表的学术成果 |
| 学术论文 |
| 申请专利 |
| 参加会议 |
（7）高透明β-Ga2O3薄膜的制备及其日盲紫外探测器的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 Ga_2O_3的基本特性 |
| 1.3 日盲紫外光电探测技术 |
| 1.3.1 太阳光谱分类及日盲紫外探测器简介 |
| 1.3.2 日盲紫外光电探测器的基本原理 |
| 1.3.3 日盲紫外光电探测器的主要性能参数 |
| 1.3.4 日盲紫外光电探测器的结构类型 |
| 1.4 β-Ga_2O_3基日盲紫外光电探测器的研究进展 |
| 1.4.1 β-Ga_2O_3纳米结构日盲紫外探测器 |
| 1.4.2 β-Ga_2O_3单晶日盲紫外探测器 |
| 1.4.3 β-Ga_2O_3薄膜日盲紫外探测器 |
| 1.4.4 β-Ga_2O_3材料异质结型日盲紫外探测器 |
| 1.5 论文的选题依据、研究内容及创新性分析 |
| 2 β-Ga_2O_3薄膜日盲紫外探测器的制备方法及表征手段 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 β-Ga_2O_3薄膜的制备 |
| 2.2.1 磁控溅射镀膜技术 |
| 2.2.2 高温管式炉退火技术 |
| 2.3 β-Ga_2O_3薄膜的基本特性表征 |
| 2.3.1 X射线衍射技术 |
| 2.3.2 紫外-可见分光光度计 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 |
| 2.3.4 拉曼散射光谱 |
| 2.3.5 X射线光电子能谱 |
| 2.4 β-Ga_2O_3薄膜基日盲紫外光电探测器的制备及性能表征 |
| 2.4.1 器件叉指电极的制备 |
| 2.4.2 日盲探测器测试系统 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 高透明β-Ga_2O_3薄膜的制备及日盲紫外探测器的初步研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 β-Ga_2O_3薄膜的制备及物理特性分析 |
| 3.2.1 β-Ga_2O_3薄膜的制备 |
| 3.2.2 高透明β-Ga_2O_3薄膜的物理特性分析 |
| 3.3 基于高透明β-Ga_2O_3薄膜日盲紫外光电探测器的性能研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 基于氧空位缺陷调控的高性能β-Ga_2O_3基日盲紫外探测器的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 不同温度退火β-Ga_2O_3薄膜的制备及物理特性分析 |
| 4.2.1 不同温度退火β-Ga_2O_3薄膜的制备 |
| 4.2.2 不同温度退火β-Ga_2O_3薄膜的物理特性分析 |
| 4.3 基于不同温度退火β-Ga_2O_3薄膜日盲紫外光电探测器性能研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 总结与展望 |
| 5.1 主要结论 |
| 5.2 后期工作展望 |
| 参考文献 |
| 附录 A:作者攻读硕士学位期间发表论文及科研情况 |
| 致谢 |
（8）宽禁带半导体掺杂及合金体系物性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 氧化镓及其合金的研究意义与现状 |
| 1.2.1 氧化镓材料的优势 |
| 1.2.2 β相氧化镓的研究现状 |
| 1.2.3 α相氧化镓的研究现状 |
| 1.2.4 本文中氧化镓材料研究重点 |
| 1.3 碲化锌及其合金的研究意义与现状 |
| 1.3.1 氧掺杂碲化锌太阳能电池的研究意义 |
| 1.3.2 高失配合金 |
| 1.3.3 中间带的光学吸收 |
| 1.3.4 氧掺杂碲化锌中间带材料的研究现状 |
| 1.3.5 碲化锌纳米结构的研究意义 |
| 1.3.6 常见的纳米结构生长方法 |
| 1.3.7 碲化锌纳米结构生长的研究现状 |
| 1.3.8 本文中碲化锌材料研究重点 |
| 1.4 论文结构安排 |
| 参考文献 |
| 第二章 (Al_xGa_(1-x))_2O_3薄膜外延生长与能带调控 |
| 2.1 (Al_xGa_(1-x))_2O_3薄膜异质外延生长 |
| 2.1.1 激光分子束外延生长原理 |
| 2.1.2 (Al_xGa_(1-x))_2O_3薄膜异质外延薄膜生长 |
| 2.2 (Al_xGa_(1-x))_2O_3薄膜微观结构分析 |
| 2.2.1 (Al_xGa_(1-x))_2O_3薄膜物相分析 |
| 2.2.2 (Al_xGa_(1-x))_2O_3外延界面结构分析 |
| 2.2.3 (Al_xGa_(1-x))_2O_3薄膜表面形貌演化 |
| 2.3 (Al_xGa_(1-x))_2O_3带隙调控和能带结构 |
| 2.3.1 透射光谱分析 |
| 2.3.2 合金电子结构DFT模拟 |
| 2.3.3 光学带隙调控分析 |
| 2.4 (Al_xGa_(1-x))_2O_3合金薄膜表面能带弯曲研究 |
| 2.4.1 表面费米能级钉扎 |
| 2.4.2 阴极荧光分析带内缺陷发光特性 |
| 2.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 α-Ga_2O_3的发光特性研究 |
| 3.1 基于c面蓝宝石的α-Ga_2O_3异质外延 |
| 3.1.1 Mist-CVD生长原理 |
| 3.1.2 Mist-CVD异质外延 |
| 3.2 α-Ga_2O_3薄膜的微观结构和发光特性分析 |
| 3.2.1 α-Ga_2O_3/c面蓝宝石的微观结构分析 |
| 3.2.2 α-Ga_2O_3/c面蓝宝石的阴极发光与光致发光特性 |
| 3.2.3 Cr~(3+):α-Ga_2O_3发光的偏振依赖性和荧光寿命 |
| 3.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 离子注入制备ZnTe:O高失配合金 |
| 4.1 ZnTe:O的离子注入与激光退火 |
| 4.2 离子注入激光退火ZnTe:O的中间带性质研究 |
| 4.2.1 ZnTe:O在激光退火后的结构恢复 |
| 4.2.2 合金的晶格振动动力学 |
| 4.2.3 中间带的光学激活和载流子动力学 |
| 4.2.4 带间吸收和光响应特征 |
| 4.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 ZnTe纳米晶体的生长 |
| 5.1 ZnTe纳米晶体的PVT生长 |
| 5.2 ZnTe纳米晶体的微观结构和生长机理研究 |
| 5.2.1 ZnTe纳米晶体的微观结构 |
| 5.2.2 ZnTe纳米晶体的生长机理分析 |
| 5.3 ZnTe纳米带的光学性质与电学性质 |
| 5.3.1 ZnTe纳米带的光学性质 |
| 5.3.2 ZnTe纳米带的电学性能 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 论文工作总结 |
| 6.2 研究展望 |
| 致谢 |
| 博士期间研究成果 |
| 文章 |
| 专利 |
| 会议 |
（10）玻璃纤维织物上氧化镓纳米阵列的原位生长及其柔性日盲紫外探测器的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 氧化镓的基本性质 |
| 1.2.1 氧化镓的简介 |
| 1.2.2 氧化镓的晶体结构 |
| 1.3 氧化镓纳米材料制备技术的研究现状 |
| 1.3.1 热氧化法 |
| 1.3.2 气-液-固生长法 |
| 1.3.3 脉冲激光沉积法 |
| 1.3.4 磁控溅射法 |
| 1.3.5 热蒸发法 |
| 1.3.6 分子束外延法 |
| 1.3.7 激光烧蚀法 |
| 1.3.8 电弧放电法 |
| 1.3.9 碳热还原法 |
| 1.3.10 微波等离子体法 |
| 1.3.11 金属有机化学气相沉积法 |
| 1.3.12 水热法 |
| 1.4 氧化镓纳米材料的应用前景 |
| 1.4.1 日盲紫外光电探测器 |
| 1.4.2 场效应晶体管 |
| 1.4.3 气敏传感器 |
| 1.4.4 其他应用 |
| 1.5 柔性光电探测器的发展及研究现状 |
| 1.5.1 有机半导体光电探测器 |
| 1.5.2 无机半导体光电探测器 |
| 1.5.3 有机无机杂化半导体光电探测器 |
| 1.6 本论文的选题背景和研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 基于Ga_2O_3 纳米柱阵列的光电化学型日盲紫外探测器 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验材料与仪器 |
| 2.2.1 实验材料及试剂 |
| 2.2.2 实验仪器 |
| 2.3 实验方法和步骤 |
| 2.3.1 水热法 |
| 2.3.2 退火法 |
| 2.3.3 Ga_2O_3纳米柱阵列的制备 |
| 2.4 表征方法 |
| 2.5 实验结果分析 |
| 2.5.1 XRD |
| 2.5.2 FESEM/TEM |
| 2.5.3 FTIR |
| 2.5.4 Raman |
| 2.6 基于Ga_2O_3纳米柱阵列的光电化学型日盲紫外探测器 |
| 2.6.1 器件组装和测试 |
| 2.6.2 UV-vis吸收光谱 |
| 2.6.3 LSV曲线 |
| 2.6.4 I-t曲线 |
| 2.6.5 工作原理分析 |
| 2.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 基于β-Ga_2O_3 纳米柱阵列的固态型日盲紫外探测器 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验材料与仪器 |
| 3.3 实验方法和步骤 |
| 3.3.1 磁控溅射法 |
| 3.3.2 β-Ga_2O_3纳米柱阵列的制备 |
| 3.3.3 钛金电极的制备 |
| 3.3.4 器件的组装与测试 |
| 3.4 表征方法 |
| 3.5 实验结果分析 |
| 3.6 FTO/β-Ga_2O_3NRAs/Ti/Au日盲紫外探测器 |
| 3.6.1 I-V曲线 |
| 3.6.2 I-t曲线 |
| 3.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 基于玻璃纤维织物/β-Ga_2O_3 纳米柱阵列的日盲紫外探测器 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验材料与仪器 |
| 4.2.1 实验材料及试剂 |
| 4.2.2 实验仪器 |
| 4.3 实验方法和步骤 |
| 4.3.1 水热法 |
| 4.3.2 退火法 |
| 4.3.3 玻璃纤维织物上β-Ga_2O_3纳米柱阵列的原位生长 |
| 4.4 表征方法 |
| 4.5 实验结果分析 |
| 4.5.1 XRD |
| 4.5.2 FESEM/TEM |
| 4.5.3 UV-vis吸收光谱 |
| 4.6 基于玻璃纤维织物/β-Ga_2O_3纳米柱阵列的日盲紫外探测器 |
| 4.6.1 器件组装和测试 |
| 4.6.2 测试结果 |
| 4.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 基于玻璃纤维织物/β-Ga_2O_3 纳米线的日盲紫外探测器 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验材料与仪器 |
| 5.2.1 实验材料及试剂 |
| 5.2.2 实验仪器 |
| 5.3 实验方法和步骤 |
| 5.3.1 化学气相沉积法 |
| 5.3.2 玻璃纤维织物上β-Ga_2O_3纳米线的原位生长 |
| 5.4 表征方法 |
| 5.5 实验结果分析 |
| 5.5.1 XRD |
| 5.5.2 FESEM/TEM |
| 5.5.3 生长机理 |
| 5.6 基于β-Ga_2O_3纳米线的日盲紫外探测器 |
| 5.6.1 器件组装和测试 |
| 5.6.2 测试结果 |
| 5.7 基于β-Ga_2O_3纳米草的日盲紫外探测器 |
| 5.8 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间取得的学术成果列表 |
四、氧化镓纳米带的制备研究（论文参考文献）
- [1]Ⅲ-Ⅳ主族金属氧化物纳米纤维、纳米带的制备与掺杂及其高气敏性能研究[D]. 石超. 中国矿业大学, 2021
- [2]氧化镓基光电器件的制备及内部机制研究[D]. 乔宝石. 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2021(08)
- [3]氧化镓纳米材料的制备及其在光电探测方面的应用研究进展[J]. 庄文昌,张洁,李钦堂,朱文友,贾志泰. 人工晶体学报, 2020(12)
- [4]基于氧化镓的超宽禁带半导体纳米形貌控制与表征[D]. 肖骁. 桂林电子科技大学, 2020
- [5]无催化剂条件下长达毫米级的超宽Ga2O3单晶纳米带制备及特性[J]. 祁祺,陈海峰,洪梓凡,刘英英,过立新,李立珺,陆芹,贾一凡. 物理学报, 2020(16)
- [6]自支撑氧化镓薄膜的生长与器件应用研究[D]. 王霞. 北京邮电大学, 2020(01)
- [7]高透明β-Ga2O3薄膜的制备及其日盲紫外探测器的研究[D]. 王江. 重庆师范大学, 2020(04)
- [8]宽禁带半导体掺杂及合金体系物性研究[D]. 李靖. 南京大学, 2019(11)
- [9]超宽禁带半导体β-Ga2O3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展[J]. 郭道友,李培刚,陈政委,吴真平,唐为华. 物理学报, 2019(07)
- [10]玻璃纤维织物上氧化镓纳米阵列的原位生长及其柔性日盲紫外探测器的研究[D]. 王顺利. 浙江理工大学, 2019(02)